[实用新型]半导体元件的刻蚀设备有效
| 申请号： | 202120731459.4 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN213601836U | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;叶魁魁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02;H01J37/305;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体元件的刻蚀设备，包括盖体、支撑体、石英管和升降装置。盖体具有进气口、多个出气口以及连通进气口和出气口的腔体。支撑体支撑于盖体，石英管连接于支撑体，石英管的上端与气源连通，下端延伸向进气口。升降装置设置于盖体，升降装置能够使石英管向下降落或者向上升起，以使石英管的下端与进气口连通或者分立。本申请提供的半导体元件的刻蚀设备，通过设置升降装置，无需人力移开和放回支撑体和石英管等结构，较为省力。此外，相比于人力抬起或者放下支撑体和石英管，通过升降装置实现石英管的上升或者下降，可以更好地控制石英管相对于进气口上升或者下降的位移，防止对石英管造成损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202120731459.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
