[实用新型]一种探测器芯片封装结构有效
| 申请号： | 202120889443.6 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN214672633U | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄祥恩;唐佛雨;陈屹丹 | 申请（专利权）人： | 桂林芯飞光电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L25/16 |
| 代理公司： | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 张学平 |
| 地址： | 541000 广西壮族自治区桂林*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种探测器芯片封装结构，2.5G Super‑TIA分别由PD、TIA、Submount、Capacity元器件组成，TIA为跨阻放大器，PD为光电二极管，Submount为单金陶瓷垫片，能够增加高度，以便成品焦距满足客户需求。Capacity为电容，具有滤波作用。TIA为跨阻放大器，PD为光电二极管，带宽在10GHz，高响应度，低电容，低暗电流，高效平面收光结构，半绝缘衬底，正负电极在同面。主要应用在10G PON,长距离光网络，WDM\ATM及光纤通讯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测器 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
