[实用新型]孔阵列层结构、芯片装置和纳米孔测序装置有效

专利信息
申请号: 202120931950.1 申请日: 2021-04-30
公开(公告)号: CN216337555U 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 张喆;任世龙;宋璐 申请(专利权)人: 成都齐碳科技有限公司
主分类号: C12M1/00 分类号: C12M1/00;C12M1/34
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 娜拉
地址: 610093 四川省成都市高新区*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 本申请涉及孔阵列层结构、芯片装置和纳米孔测序装置。孔阵列层结构,用于和衬底形成成膜空间,成膜空间用于形成膜层。孔阵列层结构包括:阵列排布的多个孔单元,孔单元贯穿孔阵列层结构,孔单元具有轴向连通的第一容纳腔和第二容纳腔,第一容纳腔被配置为和衬底连接,至少一个第一容纳腔与其它第一容纳腔连通。本申请提供的孔阵列层结构能够实现第一非极性介质在不同第一容纳腔之间的串联互补,以及均匀性分布,可以保证预涂的均一性,为成膜提供较佳的成膜基础;并且在成膜阶段可以保证膜层的稳定性和串联互补。
搜索关键词: 阵列 结构 芯片 装置 纳米 孔测序
【主权项】:
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