[实用新型]双层式双芯片装载区IGBT封装装置有效
| 申请号： | 202121037016.1 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN214797381U | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 黄昌民;谷岳生;张站东 | 申请（专利权）人： | 无锡德力芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人： | 张燕平 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种双层式双芯片装载区IGBT封装装置，涉及封装装置技术领域。本实用新型包括IGBT本体，IGBT本体的内部开设有第一槽道，第一槽道的内部装设有放置板、第一芯片托盘、第二芯片托盘，第二芯片托盘和第一芯片托盘之间螺纹配合有四个螺纹杆。本实用新型通过在IGBT本体内部装设用于调节第一芯片托盘、第二芯片托盘的螺纹杆，便捷了对芯片的放置、取出，皮带的设置，实现了一螺纹杆对第一芯片托盘、第二芯片托盘进行调节的效果，使得对第一芯片托盘、第二芯片托盘调节的过程更加便捷，把第一芯片托盘、第二芯片托盘设置成上下两层，在安装时可以节约空间，便捷了对第一芯片托盘、第二芯片托盘进行取出并放置芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 芯片 装载 igbt 封装 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡德力芯半导体科技有限公司，未经无锡德力芯半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121037016.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
