[实用新型]阵列基板的蚀刻装置和蚀刻机有效
申请号: | 202121204774.8 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN215220663U | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 张阳圣;康报虹 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种阵列基板的蚀刻装置和蚀刻机,蚀刻装置包括腔体、承载平台、抽气泵和多个导流板,所述导流板设置在所述承载平台的边缘外侧,所述承载平台的每一侧都设有多个导流板,相邻所述导流板之间设有开口;且相邻所述导流板的高度不同,开口由相邻所述导流板之间的高度差形成。本申请通过在承载平台每一侧设置多个导流板,利用相邻导流板的高度差形成开口,从而使气体生成物可以从承载平台四周不同的方向均匀流出被抽气泵抽走,使等离子体在腔体四周的浓度达到基本平衡,不会形成不适当的负载效应,使得待加工阵列基板各个部分的蚀刻程度基本相同,保证待加工基板的各部分的加工均匀性,进而提高产品品质。 | ||
搜索关键词: | 阵列 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司,未经惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202121204774.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高速线材导卫的自动清洗装置
- 下一篇:一种阻燃PP材料生产用除湿机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造