[实用新型]用于刻蚀装置的缓冲构件和刻蚀装置有效
| 申请号： | 202121224576.8 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN216120217U | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王铖熠;郭颂;张霄;刘海洋;张怀东;张亦涛;胡冬冬;许开东 | 申请（专利权）人： | 北京鲁汶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 济南文衡创服知识产权代理事务所(普通合伙) 37323 | 代理人： | 赵可 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于刻蚀装置的缓冲构件和刻蚀装置，刻蚀装置包括：腔体，腔体内限定出腔室，腔体上设有与腔室连通的抽真空管路，抽真空管路与干泵相连以使腔室内保持真空环境，抽真空管路和干泵均位于腔室外，在腔室内固定有晶圆；第一阀体，第一阀体设在抽真空管路上，且位于腔体和干泵之间，用于控制抽真空管路的通断；缓冲构件，缓冲构件设在抽真空管路上，且位于腔体和第一阀体之间，以在抽真空时减小对晶圆的瞬间抽吸作用力。根据本实用新型的用于刻蚀装置的缓冲构件，通过在抽空管路在设置缓冲构件，避免由于瞬间抽吸作用力和固定晶圆作用力之间强烈反差作用、进而对腔室内的晶圆造成破碎的现象发生，防止对生产成本造成浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刻蚀 装置 缓冲 构件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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