[实用新型]一种用于实现双面激光直写光刻的装置有效

专利信息
申请号: 202121272827.X 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN215006245U 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 栾世奕;宋毅;桂成群;薛兆丰 申请(专利权)人: 矽万(上海)半导体科技有限公司;武汉大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海远同律师事务所 31307 代理人: 丁利华
地址: 200131 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型提供了一种用于实现双面激光直写光刻的装置,包括:用于支撑衬底的支架主体、用于限制衬底X方向位移的X方向调节螺丝、用于限制衬底Y方向位移的Y方向调节螺丝以及用于限制衬底Z方向位移的Z方向调节螺丝,所述支架主体由一底面及设置在所述底面上的边框构成,并且在所述边框内侧沿边框具有阶梯部,用于支撑衬底并限制衬底Z方向向下的自由度,所述衬底与所述支架主体通过间隙配合安装在一起。与现有技术相比,本实用新型的装置可以实现衬底上3D结构如微透镜阵列的双面制备。并且本实用新型的装置结构简单,制备成本低,并且可以适用于不同尺寸与形状的衬底。
搜索关键词: 一种 用于 实现 双面 激光 光刻 装置
【主权项】:
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