[实用新型]场效应晶体管结电容损耗测试电路有效
| 申请号： | 202121273112.6 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN215728594U | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 丁继;唐开锋 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林丽丽 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种场效应晶体管结电容损耗测试电路，所述测试电路包括：场效应晶体管、驱动模块、功率模块及测温模块，其中，所述驱动模块为所述功率模块提供一组互补驱动信号；所述功率模块基于一组互补驱动信号控制所述场效应晶体管结电容处于充电回路或放电回路，并为所述场效应晶体管结电容提供充电能量；所述测温模块测量所述场效应晶体管的温度，以根据测量的温度得到场效应晶体管结电容的损耗。通过本实用新型提供的场效应晶体管结电容损耗测试电路，解决了现有方法无法单独对场效应晶体管结电容损耗进行分析的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 电容 损耗 测试 电路 | ||
【主权项】：
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