[实用新型]双向导通EDS二极管芯片有效
| 申请号： | 202121299118.0 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN215183983U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 袁强;贺晓金;陆超;周嵘;杜先兵;姚秋原;王博 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/488 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 张祥军 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种双向导通EDS二极管芯片，包括N型衬底，N型衬底的正面设有两个并列的P区，N型衬底的正面覆盖有氧化层，氧化层上对应P区设有两个并列的金属接点，金属接点穿过氧化层并与P区接触，N型衬底的背面还设有背金属层，背金属层从N型衬底开始依次为钛层、镍层、银层。本实用新型构简单，制造时无需双面光刻，降低了工艺复杂性；封装时，可以通过背面粘接或焊接，结构稳定，且不会发生导通，可靠性高。通过在平面结构上横向集成了两个PN结，实现了浪涌电流抑制以及静电保护，双向稳压性能一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 eds 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂），未经中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121299118.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
