[实用新型]一种半导体结构及半导体装置有效
| 申请号： | 202121394865.2 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN215600375U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;程恩萍;冯立伟 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体结构及半导体装置，该结构包括设置有有源区和浅沟槽隔离区的基底，其中浅沟槽隔离区的上表面低于有源区的上表面；随形覆盖基底的堆叠结构；浅沟槽隔离区上还设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层、覆盖第一绝缘层的第二绝缘层和覆盖第二绝缘层的第三绝缘层；有缘区上设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层，该第一绝缘层上表面和第三绝缘层的上表面处于相同的平面。该结构可以提供具有平坦上表面的半导体结构，且避免了现有技术中通过研磨有源区上的第一绝缘层至与浅沟槽隔离区上的第一绝缘层水平来实现平坦化，提高了漏电的风险，降低了半导体器件工作的稳定性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 装置 | ||
【主权项】：
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