[实用新型]一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 202121398399.5 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN215342637U | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 南琦;刘银 | 申请（专利权）人： | 木昇半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;F16F15/023;F16F15/04;F16F15/08 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 闫露露 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构，包括极紫外GaN基本体和垫圈，所述垫圈复合在极紫外GaN基本体外部，所述垫圈外壁固定连接防护组件，所述防护组件由金属环和橡胶环组成，所述橡胶环位于金属环外部，所述防护组件外部通过缓冲组件固定连接防磨损组件，所述缓冲组件由面板、导向杆、套筒、衬板和弹簧组成，所述导向杆滑动插接在套筒的开口端位置。本实用新型当防磨损组件受到冲击发生磨损的时候，缓冲组件的导向杆相对套筒滑动，同时面板和衬板之间的弹簧受到挤压发生形变，减缓冲击力；当防磨损组件受到挤压的时候，橡胶圈的空腔发生形变，同时弹性球发生形变，具有很好的缓冲和防磨损效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 缓冲 紫外 gan led 外延 结构 | ||
【主权项】：
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