[实用新型]一种半导体装置有效
申请号: | 202121441397.X | 申请日: | 2021-06-28 |
公开(公告)号: | CN216084862U | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 王蔚;H.邱;P.赖;王旭;王心语 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/552;H01L23/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体装置。该半导体装置包括衬底、设置于衬底上的一个或多个半导体裸芯、设置在衬底上并覆盖一个或多个半导体裸芯的模塑料、设置在模塑料上的电磁屏蔽层以及设置在电磁屏蔽层上的防翘曲层。防翘曲层的厚度大于电磁屏蔽层的厚度。电磁屏蔽层为连续层。防翘曲层包括镂空区域。根据本实用新型,可以改善在模塑工艺后的半导体装置的翘曲程度。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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