[实用新型]一种HMDS喷涂结构及装置有效
| 申请号： | 202121652103.8 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN215183862U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 韩禹;王若愚;孙元斌;刘硕;谢永刚 | 申请（专利权）人： | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种HMDS喷涂结构及装置，该喷涂结构包括：喷嘴主体，喷嘴主体的一端为输入端，喷嘴主体的另一端为输出端，输入端与输出端导通，输入端用于连接进气通道，输出端和输入端之间设有喷洒腔，喷洒腔的直径小于进气通道的直径。本实用新型通过在输出端和输入端之间设置喷洒腔，且喷洒腔的直径小于进气通道的直径，当进气通道内的气体进入喷洒腔内时，由于喷洒腔的体积较大，从而起到一定的缓冲作用，当气体从输出端喷出时，气体流通相对稳定，从而使喷涂时气体流通更加均匀，且结构简单，便于大批量的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hmds 喷涂 结构 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
