[实用新型]一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路有效
申请号: | 202121730250.2 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN214851145U | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 吴映芳 | 申请(专利权)人: | 吴映芳 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/195;H03F3/213 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路,属于电路技术领域,包含射频开关RX端、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容Cd、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电感Lg、电感Ls、电感Ld、开关管M5、开关管M6、开关SW1、开关SW2、开关SW3、Vdd端、射频信号输出OUT端,其将接收到的微小信号进行放大以供给后级电路,在尽量低噪声系数的情况下提高增益,为了同时获得较低的噪声系数和较高的增益,主放大电路采用带源极电感负反馈的共源共栅结构,在不增加噪声的情况下,输入端采用源极电感,负反馈结构实现输入匹配,尽可能实现最小的噪声和最大的增益。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 射频 接收 前端 芯片 低噪声放大器 电路 | ||
【主权项】:
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