[实用新型]去耦合电容电路结构有效
| 申请号： | 202122278280.0 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN216488070U | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 熊剑锋;刘斌 | 申请（专利权）人： | 珠海妙存科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L23/52;H01L27/088 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑晨鸣 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及集成电路设计技术领域，公开了一种去耦合电容电路结构，本实用新型包括PMOS管、NMOS管、第一多晶硅层、第二多晶硅层、第一至第四金属层及第一、第二基准多晶硅；PMOS管具有第一有源区、第一衬底以及第一栅极接触孔，第一有源区内设有第一源极接触孔阵列、第一栅极区和第一漏极接触孔阵列；NMOS管具有第二有源区、第二衬底以及第二栅极接触孔，第二有源区内设有第二源极接触孔阵列、第二栅极区及第二漏极接触孔阵列。本实用新型利用多晶硅层作为MOS管的栅极多晶硅结构，并使基准多晶硅并入到对应的多晶硅层，能够降低寄生电阻值；将金属层覆盖在对应的衬底、多晶硅层和基准多晶硅上，扩大接触面积，能够降低寄生电阻值且提高寄生电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 电容 电路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海妙存科技有限公司，未经珠海妙存科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202122278280.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于种子包装袋的封口装置
- 下一篇：一种带有屏蔽网罩的嵌入安装式配电柜
- 同类专利
- 专利分类
