[实用新型]一种适用于单晶硅降功耗的热场结构及单晶炉系统有效

专利信息
申请号: 202122378394.2 申请日: 2021-09-29
公开(公告)号: CN216192874U 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 韩凯;武志军;张文霞;谷守伟;王林 申请(专利权)人: 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 代理人: 栾志超
地址: 010070 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 实用新型提供一种适用于单晶硅降功耗的热场结构及单晶炉系统,包括热屏封气环、热屏支撑环、内保温部和外保温部,内保温部设于外保温部的内部,内保温部与外保温部内侧面接触;热屏支撑环设于外保温部的内部,且热屏支撑环设于内保温部的一端,热屏支撑环与外保温部的内侧面接触,对热屏进行支撑;热屏封气环设于外保温部的内部,且热屏封气环与热屏支撑环的远离内保温部的一侧面接触,热屏封气环与外保温部的内侧面接触,对热屏支撑环分别与内保温部和外保温部的接触处进行封堵。本实用新型的有益效果是避免原有的上保温层与中保温层的拼接部分在炉台运行过程中的热量损耗,外保温部的厚度呈梯度式设置,有利于单晶在生长过程中带走结晶潜热。
搜索关键词: 一种 适用于 单晶硅 功耗 结构 单晶炉 系统
【主权项】:
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