[实用新型]一种新型的TFT器件结构有效
申请号: | 202122442958.4 | 申请日: | 2021-10-11 |
公开(公告)号: | CN216054708U | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 陈伟;陈鑫 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种新型的TFT器件结构,包括玻璃基板、源漏极SD,所述玻璃基板上设置有缓冲层,所述缓冲层上设有凹槽,所述缓冲层上设置有非透明栅极GE层,所述非透明栅极GE层上设置有栅极绝缘层GI,所述栅极绝缘层GI上设置有有缘层SE,所述源漏极SD设置于有缘层SE或者栅极绝缘层GI上,所述栅极绝缘层GI上还设置有覆盖有缘层SE和源漏极SD的绝缘层PV。本实用新型通过在玻璃基板上增加一层带有凹槽设计的缓冲层,在不改变器件Chanel Width和Length的情况下,依靠凹槽的侧边所增加的长度来减小TFT结构器件在Panel中的占比面积,从而达到高分辨率、窄边框的显示屏设计目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 tft 器件 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的