[实用新型]半导体工艺腔室及半导体工艺设备有效
| 申请号： | 202122509452.0 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN216624211U | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 高雄;孙伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、供气组件以及设置在腔体中的基座和导气板，导气板间隔设置在基座与腔体的顶壁之间，导气板、腔体的侧壁和顶壁围设成一空腔，导气板上形成有多个沿厚度方向贯穿导气板的导气孔，半导体工艺腔室还包括供气组件，供气组件用于向空腔内提供吹扫气体，以在导气板朝向基座一侧形成气流层。在本实用新型中，供气组件能够向导气板与腔体的顶壁之间提供吹扫气体，使吹扫气体在充满导气板与顶壁之间的间隙后通过导气孔向下逸出，进而在导气板底部形成气垫保护层，阻止反应气体向顶壁及导气板扩散并生长出反应产物，保持顶壁的洁净度，进而降低晶圆表面的颗粒数量。本实用新型还提供一种半导体工艺设备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 工艺设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
