[实用新型]集成无源器件的结构有效

专利信息
申请号: 202122707768.0 申请日: 2021-11-05
公开(公告)号: CN217062084U 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 徐建卫;叶宇诚;汪鹏 申请(专利权)人: 赫芯(浙江)微电子科技有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/64
代理公司: 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 代理人: 方珩
地址: 314299 浙江省嘉兴市平湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提出了一种集成无源器件的结构,该集成无源器件的结构主要是由衬底层、第一导电层、介电层等构成。其中,第一导电层,设置于衬底层上;第二导电层,部分覆盖于第一导电层上,以形成非电感元器件的接电区,部分覆盖于衬底层的上表面以形成电感线圈部;介电层,用于形成绝缘层,其设置于衬底层和第一导电层上,以覆盖第二导电层,并且至少有部分未覆盖接电区和电感线圈部的上表面的待连接区域。与现有技术相比,本申请可改善集成无源器件中电感器件的器件品质因数。
搜索关键词: 集成 无源 器件 结构
【主权项】:
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