[实用新型]一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备有效

专利信息
申请号: 202122815556.4 申请日: 2021-11-17
公开(公告)号: CN216614933U 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 朱慧;何东旺 申请(专利权)人: 江苏籽硕科技有限公司
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B23/02
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 孙峰
地址: 225300 江苏省泰州市医药高新技术产业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备,包括工作台和箱体,所述工作台顶端中间位置处安装有箱体,所述箱体前表面一侧中间位置处安装有除尘管,所述除尘管内表面顶端中间位置处与底端中间位置处均安装有静电板,所述工作台靠近底端中间位置处安装有底座,所述底座顶端中间位置处安装有真空泵,所述真空泵一侧中间位置处通过真空管连接于箱体。本实用新型解决了现有装置多采用单工位进行加工,每次加工完成后,需要再次对箱体进行真空处理和对材料板进行加热,资源浪费大,生产效率不佳,且上下料过程中,灰尘极易进入箱体内部,污染生产环境,影响薄膜生产质量的问题,提高了本实用新型的生产效率和生产质量。
搜索关键词: 一种 用于 制备 二硫化钼 薄膜 分子 外延 生长 设备
【主权项】:
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