[实用新型]一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构

摘要

本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，包括陶瓷衬底层，所述陶瓷衬底层的顶部设置有覆盖层，且覆盖层上设置有绝缘层，并且绝缘层上铺设有薄膜层；还包括：透气孔，所述透气孔贯通开设于陶瓷衬底层的内部，且陶瓷衬底层的底部固定有金属底片；支撑条，所述支撑条固定于绝缘层的底部，且支撑条位于支撑槽内，并且支撑槽开设于覆盖层的顶部，而且支撑槽的底部放置有承压垫。该用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，通过陶瓷衬底层底部的金属底片配合耐磨头，增加陶瓷衬底层的耐磨性能，避免与电机接触安装时发生磨损，并配合透气孔提高陶瓷衬底层的散热效果，同时通过支撑条和承压垫进行承压缓冲，提高整体抗压性能。