[实用新型]一种高性能防虚焊薄膜电容有效
| 申请号： | 202122844133.5 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN216212909U | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 鲁廷立;黄炎 | 申请（专利权）人： | 深圳京裕电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/228;H01G4/224;H01G4/002;H01G2/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及薄膜电容技术领域，且公开了一种高性能防虚焊薄膜电容，包括塑壳、薄膜卷、阴极引脚和阳极引脚，所述薄膜卷位于塑壳的内部，所述阴极引脚的左端和阳极引脚的右端均与薄膜卷的内部连接，所述塑壳的内壁设置有两个定位凸缘，所述塑壳的左右两侧均螺纹连接有端盖，两个端盖的中心处均开设有通孔，所述阴极引脚位于左侧通孔的内部，所述阳极引脚位于右侧通孔的内部。该高性能防虚焊薄膜电容，通过塑壳、薄膜卷、阴极引脚、阳极引脚、凹凸引脚、定位凸缘、端盖、通孔、环氧树脂层和直线引脚之间的相互配合，达到了增强引脚抗拉拔性能的效果，解决了现有薄膜金属引脚的抗拉拔能力较弱的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 防虚焊 薄膜 电容 | ||
【主权项】：
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