[实用新型]一种可控栅极电容的功率器件结构有效
| 申请号： | 202122903864.2 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN216450650U | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 马克强;王思亮;胡强;蒋兴莉 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种可控栅极电容的功率器件结构，包括衬底，所述衬底的底部设置有注入层，所述衬底的上部设置有第一层沟槽和第二层沟槽，所述第一层沟槽和第二层沟槽形成双层包围的沟槽结构，所述第一层沟槽为连接栅极的沟槽，第二层沟槽是连接发射极的沟槽，第一层沟槽围成矩形区域，所述第二层沟槽围成一个横向尺寸为a，纵向尺寸为b的矩形区域，第二沟槽围成的矩形区域位于第一沟槽围成的矩形区域之内。本申请通过双层沟槽的设计，得到可以调节电容比例的横向尺寸a和纵向尺寸b，在不增加导通压降的前提下降低开关损耗，提高功率器件开关频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 栅极 电容 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
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