[实用新型]一种晶圆成膜装置有效
| 申请号： | 202122983304.2 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN216288374U | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵哲;沈淳;张优优;刘振兴;周长健;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆成膜装置，所述成膜装置至少包括：载盘，设有一工作台；支撑环，设有底部凹槽及顶部凹槽，所述底部凹槽是靠近底部的一端设有底部凹槽，所述顶部凹槽是靠近底部的另一端设有顶部凹槽；以及，挡柱，所述挡柱的顶部为弧形；其中，所述支撑环通过底部凹槽套设于所述载盘上，所述挡柱位于所述支撑环的表面。本实用新型所提供的晶圆成膜装置，可以有效改善外延片的厚度、浓度不稳定及不均匀的问题，还可以有效减少因沉积层过厚导致晶圆发生变形、碎裂的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 圆成 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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