[实用新型]一种高压功率半导体芯片的新型封装结构有效
| 申请号： | 202123015763.8 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN216288408U | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 宋中峰 | 申请（专利权）人： | 上海优昕电子信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/467;H01L23/00;H01L23/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201199 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压功率半导体芯片的新型封装结构，包括半导体芯片主体、封装层、第一橡胶垫、通风口和放置槽，所述第一弹簧内部设置有移动杆，且移动杆下端连接有第一连接板，所述半导体芯片主体上侧设置有螺纹杆，所述上盖板内部设置有移动块，所述螺纹杆下端设置有第二连接板，且第二连接板下端设置有第二橡胶垫，所述第二连接板上设置有第二弹簧，所述半导体芯片主体上侧设置有散热片，所述封装层内部开设有放置槽。该高压功率半导体芯片的新型封装结构，设置有通风口和散热片，通过通风口与散热片对半导体芯片主体进行散热，从而使其散热效率更高，使其方便进行使用，并且通过螺纹杆可方便对散热片进行拆卸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体 芯片 新型 封装 结构 | ||
【主权项】：
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