[实用新型]一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架有效

专利信息
申请号: 202123018796.8 申请日: 2021-12-03
公开(公告)号: CN216389337U 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 姜旭波 申请(专利权)人: 中科华艺(天津)科技有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 天津合正知识产权代理有限公司 12229 代理人: 李震勇
地址: 300304 天津市东丽区华*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种用于高压MOSFET产品的电子元件框架,包括外框,其内矩阵排列有多个框架单元,每个框架单元包括元件固定单元以及分布在元件固定单元周侧的多个管脚,所述元件固定单元中部设有连接盘,连接盘置于一方形的导热框内,且导热框一侧边缘设有加宽散热边,且所述加宽散热边上开有且沿加宽散热边长度方向开有多个锁胶孔。本实用新型采用设置在连接盘周围的导热框吸收电子元件散发出的热量,并通过加宽散热边将热量导向外界,加快热量传导速度,使得导热框内的热量更容易被散发出去,同时通过在加宽散热边上开设锁胶孔的方式,使得用于封装的胶体与导热框连接更紧密,防止框架产品生产之后,框架与胶体连接松脱。
搜索关键词: 一种 用于 高压 mosfet 产品 电子元件 框架
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科华艺(天津)科技有限公司,未经中科华艺(天津)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202123018796.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top