[实用新型]一种精简型高精度单晶硅传感器有效

专利信息
申请号: 202123026425.4 申请日: 2021-12-06
公开(公告)号: CN216695388U 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 王旭;马志强 申请(专利权)人: 南京沃天科技股份有限公司
主分类号: G01L13/06 分类号: G01L13/06
代理公司: 南京中软知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32466 代理人: 郑燕飞
地址: 210000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种精简型高精度单晶硅传感器,烧结底座的下部内嵌槽安装有单晶硅芯片;烧结底座的上部连接有螺纹接头;烧结底座横向设置有芯体管路;烧结底座的底部连接有高压基座和低压基座;高压基座和低压基座之间夹持开设有中心腔室;高压基座和低压基座的内部均开设有基座管路;中心腔室的两侧壁均通过基座管路与烧结底座相连通;高压基座和低压基座的中部还横向贯穿开设有隔离腔室;高压基座和低压基座的外侧壁均安装有隔离膜片;隔离腔室与中心腔室相互连通。本技术方案能够提供一种结构精简、生产成本低且填充液中段经过中心腔室,保护芯片不受冲击而损坏,提高单晶硅差压传感器的使用寿命。
搜索关键词: 一种 精简 高精度 单晶硅 传感器
【主权项】:
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