[实用新型]一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置有效
申请号: | 202123107330.5 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN216354071U | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 尹朝蓉 | 申请(专利权)人: | 成都锦沪新材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种高功率器件硅片扩散用磷片生产装置,包括炉体,炉体的一端呈敞开式,炉体上连通有出气管,所述炉体内固定有靠近炉体敞开处的固定壳,所述固定壳上开设有一组排气口;所述炉体远离固定壳的一端设有储气壳,所述储气壳上连通有贯穿炉体的排气管,所述排气管位于炉体内的一端连通有可拆卸连接的连接壳,所述连接壳靠近固定壳的一面设有承载条,所述承载条与连接壳相连通,所述承载条上开设有一组卡槽和一组出气孔,一组所述卡槽和一组出气孔呈交错分布。本实用新型可以有效的使惰性气体分散在炉体内,从而使粉末流均匀的分散在炉内,保证了每个圆片冷却后其表面都形成有充足的磷片。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 器件 硅片 扩散 用磷片 生产 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造