[实用新型]一种高可靠性厚膜基片有效
申请号: | 202123110177.1 | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN216597584U | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 张超超;唐拓;刘金丽;阳永衡;彭婕;董晶;邓宁;杨正清 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种高可靠性厚膜基片,属于厚膜混合集成电路领域。包括:基片衬底,导带,阻带,芯片粘接区,导带键合区,相关电子元器件焊接区,绝缘介质覆盖保护区;所述导带、阻带、芯片粘接区、导带键合区、相关电子元器件焊接区印刷在基片衬底上,阻带的两端联结不同的导带,导带键合区、相关电子元器件焊接区与相应的导带联结,芯片粘接区可以与相应的导带联结或为无联结的独立区域,绝缘介质覆盖保护区覆盖除粘接、键合及焊接区域的以外的区域。解决了现有厚膜混合集成电路批量生产的过程中,芯片、相关电子元器件与厚膜基片的粘接过程中质量控制困难的问题。广泛应用于高可靠混合集成电路技术领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 可靠性 厚膜基片 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的