[实用新型]一种高可靠性厚膜基片有效

专利信息
申请号: 202123110177.1 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN216597584U 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 张超超;唐拓;刘金丽;阳永衡;彭婕;董晶;邓宁;杨正清 申请(专利权)人: 贵州振华风光半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/01 分类号: H01L27/01
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 刘安宁
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 一种高可靠性厚膜基片,属于厚膜混合集成电路领域。包括:基片衬底,导带,阻带,芯片粘接区,导带键合区,相关电子元器件焊接区,绝缘介质覆盖保护区;所述导带、阻带、芯片粘接区、导带键合区、相关电子元器件焊接区印刷在基片衬底上,阻带的两端联结不同的导带,导带键合区、相关电子元器件焊接区与相应的导带联结,芯片粘接区可以与相应的导带联结或为无联结的独立区域,绝缘介质覆盖保护区覆盖除粘接、键合及焊接区域的以外的区域。解决了现有厚膜混合集成电路批量生产的过程中,芯片、相关电子元器件与厚膜基片的粘接过程中质量控制困难的问题。广泛应用于高可靠混合集成电路技术领域。
搜索关键词: 一种 可靠性 厚膜基片
【主权项】:
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