[实用新型]一种IGBT真空共晶炉有效
申请号: | 202123140033.0 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN217009123U | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 姜新诚;王兆敏 | 申请(专利权)人: | 青岛晨立电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K3/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及焊接设备技术领域,且公开了一种IGBT真空共晶炉,解决了共晶炉中的芯片在投放时,大多通过工作人员手动放置芯片,由于共晶炉内部温度高会灼伤工作人员,进而存在安全隐患的问题,其包括共晶炉本体,所述共晶炉本体的底端对称设有支撑柱,共晶炉本体的顶端活动连接有盖体,共晶炉本体的内部中间位置设有隔板,隔板的内部等距离设有冷却水管,隔板的顶端开设有凹槽,隔板的上方设有与凹槽相适配的接料板,接料板的底端与高度调节结构连接,接料板的内部等距离设有加热管,共晶炉本体的外壁顶部安装有支撑板;本设计避免人工投料,避免共晶炉本体内部高温灼伤工作人员,进而实现对工作人员的保护。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 真空 共晶炉 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造