[实用新型]一种半导体场效应MOSFET二极管有效
| 申请号： | 202123151498.6 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN216648288U | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 劳廉旭;洪盛兰 | 申请（专利权）人： | 深圳市登辰易科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12;H01L23/367;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体场效应MOSFET二极管，包括安装架、主体、右引脚、固定引脚和活动引脚，所述主体的两侧对称固定安装有活动板，所述安装架的两侧对称开设有限位滑槽，该半导体场效应MOSFET二极管通过活动引脚和滑杆在固定引脚内部的滑动，方便对活动引脚和固定引脚的有效长度和角度进行调节，不需要对其进行修剪，使用方便，通过安装架能够增加对主体的保护，避免在焊接或者取下主体时，对主体造成损伤，在取下主体时，只需对焊接点进行加热，主体和活动板在弹簧的弹力下上升并与电路板分离，操作简单，实用性高，并且通过凹槽和安装架方便对主体进行散热，能够提高该MOSFET二极管使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 场效应 mosfet 二极管 | ||
【主权项】：
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