[实用新型]非易失三维存储单元、芯片组件和电子设备有效

专利信息
申请号: 202123171551.9 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN216450386U 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 左丰国;周骏;侯彬 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C11/00 分类号: G11C11/00;G11C7/10
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 查薇
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 本申请的实施例公开了一种非易失三维存储单元、芯片组件和电子设备。易失性存储芯片用于存储数据。接口芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片三维堆叠连接。非易失性存储芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片和接口芯片中至少之一三维堆叠连接,以形成非易失三维存储单元。其中,接口芯片包括通信协议电路,通信协议电路用于存储通信协议。数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式写入易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一;和,数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式从易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一被读取。通过上述设置,提高了数据的传输效率,增大了处理数据的带宽,并且提高了数据存储的可靠性。
搜索关键词: 非易失 三维 存储 单元 芯片 组件 电子设备
【主权项】:
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