[实用新型]一种可编程只读存储单元及存储器有效
| 申请号： | 202123202811.4 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN216596248U | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王春华 | 申请（专利权）人： | 南京沁恒微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210012 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可编程只读存储单元及存储器，可编程只读存储单元包括N阱，N阱上设有串联的第一PMOS管、第二PMOS管；第一PMOS管为选择管，第二PMOS管为浮置栅极的存储管，第二PMOS管的栅极上方没有金属硅化物，且第二PMOS管栅极的平均厚度小于第一PMOS管栅极的平均厚度，第一PMOS管的宽度大于第二PMOS管的宽度。本实用新型减少了非设计寄生电容、增大了有益寄生电容占比、提高了编程门槛、降低了误编程概率，提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可编程 只读 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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