[实用新型]一种提高器件电子迁移率的结构有效
| 申请号： | 202123221515.9 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN216528869U | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 许舜渊 | 申请（专利权）人： | 深圳市摩得半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/14;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及器件技术领域，且公开了一种提高器件电子迁移率的结构，包括器件本体和矩形支撑框，所述器件本体的底部固定连接有散热硅胶垫，所述矩形支撑框的内侧壁固定连接散热铝板。该提高器件电子迁移率的结构，通过矩形支撑框、散热硅胶垫、散热铝板、散热翅片、散热铜板和散热孔之间的相互配合，从而可以通过散热硅胶垫将器件本体内部的温度热量进行吸收，并将热量传递给散热铝板，且通过散热翅片将热量传递给散热铜板，进而实现散热效果，同时热量在散热翅片上时，可以通过散热口来对将矩形支撑框内部的热量进行散发，进而可以有效的降低器件本体内部的温度，从而可以提高器件的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 器件 电子 迁移率 结构 | ||
【主权项】：
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