[实用新型]一种QFN或DFN的封装结构有效
| 申请号： | 202123265251.7 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN216563114U | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 胡小林;张尚飞;张永银;穆云飞 | 申请（专利权）人： | 南京矽邦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种QFN或DFN的封装结构，包括框架基体和凹槽；所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区设置于框架基体的中部；所述蚀刻区分布于基岛固定区的外侧；所述基岛固定区设有基岛，所述基岛上设有芯片，所述凹槽设置于基岛上并围绕芯片分布；通过在基岛上开设凹槽，塑封时，基岛上的熔融塑封料能够流入凹槽中，并在凹槽固化，增加了塑封料与基岛的结合面，有效增加了塑封料与框架基体的附着强度，提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性，解决了在当前QFN或DFN封装中，由于塑封料熔融后与基岛的结合面小，影响塑封强度，进而出现影响QFN或DFN产品的可靠性及芯片稳定性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qfn dfn 封装 结构 | ||
【主权项】：
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