[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202123367933.9 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN216450646U | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 | 申请（专利权）人： | 飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 樊文娜;刘荣娟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；深阱保护柱，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方，且所述深阱保护柱和所述衬底之间的第一外延层的厚度为6μm～12μm；阱接触层，与所述深阱保护柱的掺杂类型相同，并自所述深阱保护柱的表面向所述深阱保护柱中延伸且侧壁和底部被所述深阱保护柱围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。本申请的半导体结构能够降低器件的表面电场、增大正向电流，并提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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