[实用新型]一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构有效
| 申请号： | 202123380071.3 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN216699974U | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 左希光;段亚东;张雷;刘琰;潘雅敏;温玉波;杨淼;刘岩 | 申请（专利权）人： | 青岛海博瑞微电子研究所有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/08 |
| 代理公司： | 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777 | 代理人： | 黄瀛 |
| 地址： | 266000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种高温、高频SiC‑MOSFET隔离式驱动电路结构，电路的输入端连接电阻R1；电阻R1的另一端连接发射器的输入端；发射器输入地端接数字地,接收器的输入端连接发射器的输出端；其输出端分别连接接隔离电源的VCC+引脚与VCC‑引脚，以及栅驱动器的输入端；接收器的输出端与隔离电源的VCC+引脚之间还连接有电阻R2,接收器的输出端与隔离电源VCC‑引脚之间连接有电容C1,隔离电源的VCC+引脚与隔离电源的VCC‑引脚之间连接有电容C2；栅驱动器的VCC+引脚与VCC‑引脚之间连接有电容C3；基于以上设计的SiC‑MOSFET/IGBT高温隔离式驱动器，可以在175℃的环境下使用，适用于高压大功率高端开关应用三相电机驱动以及半桥、H桥驱动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 高频 sic mosfet 隔离 驱动 电路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛海博瑞微电子研究所有限公司，未经青岛海博瑞微电子研究所有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202123380071.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：夹胶玻璃加工用胶片收卷切割装置
- 下一篇：一种磷石膏加工用原料筛分装置
