[实用新型]工艺腔室有效
| 申请号： | 202123427722.X | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN216749802U | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 弓晓晓;李岩 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种工艺腔室，应用于半导体设备，工艺腔室包括腔室本体、设置于腔室本体上方的介质窗和用于向腔室本体内通入工艺气体的进气装置，介质窗的中心位置设有安装通孔，进气装置包括安装部和形成在安装部的喷头部，安装部设置在安装通孔中，喷头部的出气端设有中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组，中间进气孔组环绕中心进气孔组设置，边缘进气孔组环绕中间进气孔组设置，且中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组分别与腔室本体外的外部气源连接，用于向腔室本体内可选择性的通入工艺气体。本实用新型提供的工艺腔室能够实现更多的进气调节，实现如M型刻蚀、均匀刻蚀等多种能够满足特定的半导体工艺对等离子体的分布需求。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202123427722.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种适用于离子注入机液态气源柜
- 下一篇：低功耗、低失调双电压比较器
