[发明专利]三维存储器装置中的页缓冲器电路在审
| 申请号： | 202180002087.4 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113678204A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈腾;王砚;栗山正男 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/24;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开内容提供了3D NAND装置的页缓冲器电路。在一些实施例中，页缓冲器电路包括：第一位线段感测分支，连接到位线的第一位线段，以及第二位线段感测分支，连接到位线的第二位线段。第一位线段感测分支和第二位线段感测分支并联连接到页缓冲器电路的感测节点。在一些实施例中，第一位线段感测分支包括第一感测锁存器和第一位线预充电路径，并且第二位线段感测分支包括第二感测锁存器和第二位线预充电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 装置 中的 缓冲器 电路 | ||
【主权项】：
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