[发明专利]等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法在审
| 申请号： | 202180017270.1 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN116018669A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 上田和浩;池永和幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供可靠性高的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法。作为其手段，是一种等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，该等离子处理装置用保护皮膜形成于配置在等离子处理装置的处理室内部的基材的表面，且包含对等离子具有耐受性的材料，其中，该等离子处理装置对载置于配置在真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法中，具有如下工序：(a)准备在表面具备含有钇的皮膜的基材；和(b)将基材浸渍到稀硝酸液中，通过对皮膜进行超声波照射来进行清洗，在(b)工序中，在清洗中检测钇的洗脱速度，在从开始超声波照射起的钇的洗脱速度依次经过了第1减少、第1增加、第2减少后，在发生第2增加前停止清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 保护 皮膜 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术，未经株式会社日立高新技术许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180017270.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热泵装置
- 下一篇：电池单体及其制造方法和制造系统、电池以及用电装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
