[发明专利]用于转移或操纵层的可移除结构以及使用所述可移除结构来转移层的方法在审
| 申请号： | 202180025499.X | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN115398597A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | F-X·达尔拉斯;V·拉里 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/18;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王坤哲;徐敏刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可移除结构(100)，其包括：‑至少两个界面，组装界面(30)和优先分离界面(1)，‑受体衬底(20)，‑供体衬底(10)，该供体衬底包括待转移的有用层(3)，该有用层被设置在初始衬底(2)上，该优先分离界面(1)位于所述有用层(3)与初始衬底(2)之间，并且该组装界面(30)位于所述有用层(3)与受体衬底(20)之间。该可移除结构(100)的特征在于：该组装界面(30)具有组装中断区(31)，该组装中断区包括存在于受体衬底(20)中或有用层(3)中的至少一个空腔(31a)，该组装中断区(31)位于可移除结构(100)的外围区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转移 操纵 结构 以及 使用 述可移 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会，未经索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180025499.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
