[发明专利]激光加工装置、激光加工方法及晶圆在审
申请号: | 202180026048.8 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN115362532A | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 坂本刚志;宫田裕大;关本祐介;是松克洋 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/073;B23K26/53 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 激光加工装置,具备支承部、照射部和控制部。照射部,具有成形部,其使激光成形为在与激光的光轴垂直的面内的聚光区域的一部分的形状具有长边方向。控制部具有:决定部,其将在含有III‑V族化合物半导体的对象物的外缘的内侧沿着延伸成环状的线使聚光区域的一部分相对地移动的情况下的长边方向的朝向,决定成为与聚光区域的一部分的移动方向之间的角度比45°小的角度的规定方向;加工控制部,其沿着线使聚光区域的一部分相对地移动而形成改性区域,在对象物的与激光入射面相反的侧的相反面产生具有长边方向的形状的照射痕;以及调整部,其在通过加工控制部形成改性区域的情况下,调整长边方向的朝向以成为决定部所决定的规定方向。 | ||
搜索关键词: | 激光 加工 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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