[发明专利]磁传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 202180056999.X | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116075735A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 山地勇一郞;原川修;龟野诚 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的磁传感器以将产品间的偏差收敛于一定的范围内的方式，基于集磁体的表面性，控制产生于元件形成面和集磁体之间的间隙的大小。具备以元件形成面(20a)相对于基板(2)垂直的方式搭载的传感器芯片(20)和以表面(31)与基板(2)相对且表面(32)与元件形成面(20a)相对的方式搭载的集磁体(30)。集磁体(30)中，表面(32)的算术平均波度Wa为0.1μm以下。这样，如果与元件形成面(20a)相对的集磁体(30)的表面(32)的算术平均波度Wa被平坦化为0.1μm以下，则能够大幅降低元件形成面(20a)和集磁体(30)的间隙引起的检测灵敏度的降低，并且可以大幅抑制产品间的检测灵敏度的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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