[发明专利]半导体器件的电极部及其制造方法在审
| 申请号： | 202180057563.2 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN116097402A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 赤坂泰志 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件的电极部的制造方法包括准备具有杂质添加区域的半导体基片的步骤。该制造方法还包括在杂质添加区域上形成第一金属层的步骤。该制造方法还包括在第一金属层上形成第二金属层的步骤。该制造方法还包括对包括第一金属层和第二金属层的半导体基片进行加热的步骤。杂质添加区域含有硅。第一金属层含有钽。第二金属层含有钛。通过进行加热的步骤，在杂质添加区域上形成含有钛、钽和硅的第一硅化物层，在第一硅化物层上形成含有钛和硅的第二硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
