[发明专利]用于选择性蚀刻硅-锗材料的组合物及其用途和方法在审
| 申请号： | 202180061341.8 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN116195036A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | F·J·洛佩兹比利亚努埃瓦;A·克里普;S·弗里施胡特;罗智晖;沈美卿 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王丹丹;刘金辉 |
| 地址： | 德国莱茵河*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种用于在包含硅的层存在下选择性蚀刻包含硅锗合金(SiGe)的层的组合物，所述组合物包含：(a)5至15重量％的氧化剂；(b)5至20重量％的包含氟离子源的蚀刻剂；(c)0.001至3重量％的式S1(S1)的第一选择性增强剂和(d)水，其中R |
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| 搜索关键词： | 用于 选择性 蚀刻 材料 组合 及其 用途 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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