[发明专利]最小化热损失并增加均匀性的加热的基板支撑件在审
| 申请号： | 202180065288.9 | 申请日： | 2021-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN116420218A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 帕万库马尔·拉马南德·哈拉帕霍利;甘加达尔·希拉瓦特;苏希尔·R·冈德哈勒卡尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了在处理腔室中使用的基板支撑件的多个实施例。在一些实施例中，一种在处理腔室中使用的基板支撑件包括：加热板，具有用于支撑基板的上表面和与上表面相对的下表面，其中加热板包含具有第一导热系数的第一材料，并且其中加热板的侧壁和加热板的下表面用包含第二材料的覆盖板覆盖，该第二材料具有小于第一导热系数的第二导热系数；中空轴，耦接至该加热板，其中该中空轴包含具有第三导热系数的第三材料，该第三导热系数小于第一导热系数；和一个或多个加热元件，设置在该加热板中。 | ||
| 搜索关键词： | 最小化 损失 增加 均匀 加热 支撑 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
