[发明专利]用于等离子体蚀刻晶片切单工艺的遮蔽环套件在审
| 申请号： | 202180067313.7 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN116250070A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | K·埃卢马莱;E·S·白;M·索伦森;S·斯如纳乌卡拉苏;A·塔蒂 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了遮蔽环套件和切割半导体晶片的方法。在示例中，蚀刻设备包括腔室、以及在腔室内或耦接至腔室的等离子体源。静电卡盘在腔室内，所述静电卡盘包括用于支撑基板载体的导电基座，所述基板载体尺寸设计成支撑具有第一直径的晶片。遮蔽环组件在等离子体源与静电卡盘之间，所述遮蔽环组件尺寸设计成处理具有第二直径的晶片，第二直径小于第一直径。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 蚀刻 晶片 工艺 遮蔽 套件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180067313.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：方法
- 下一篇：图像分析方法、图像分析装置、程序及记录媒体
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
