[发明专利]垂直场效应晶体管顶部源极-漏极的缠绕接触体在审
| 申请号： | 202180082374.0 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN116601755A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;E·米勒;J·希勒;范淑贞;吴恒 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，包括：半导体结构中的第一凹陷区域，第一凹陷区域限定具有第一正锥形轮廓的第一开口，作为第一正锥形轮廓的至少一部分，以第一锥角在朝向半导体结构的顶部源极/漏极区的方向上加宽第一开口；以及第一开口内的顶部源极/漏极接触体，顶部源极/漏极接触体围绕顶部源极/漏极区的表面。该半导体结构还包括保护衬垫，其位于顶部源极/漏极区的底部部分、与顶部源极/漏极区相邻的顶部间隔体和两个连续的顶部源极/漏极区之间的电介质材料之间的界面处，保护衬垫在接触体图案化期间保护顶部源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 顶部 缠绕 接触 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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