[发明专利]利用激光发光器件的基板热处理装置在审
| 申请号： | 202180087662.5 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116670812A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 金亨骏;金炳局;朴旺濬;权五成;金泰衡;郑炳圭 | 申请（专利权）人： | 微传科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 韩国京畿道水原市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开基板热处理装置，其包括：包括：工艺腔室，在内部放置待热处理的平板基板，包括位于平板基板的下部的光束透射板和位于平板基板的上部的红外线透射板；光束照射模块，通过光束透射板向平板基板的下部面照射单一波长的垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束；以及辐射率测定模块，通过测定从平板基板的下部面或上部面反射的激光束来测定平板基板的辐射率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 激光 发光 器件 热处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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