[发明专利]一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210008437.4 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114496756A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：提供衬底并在表面形成硬质掩膜层，对衬底和硬质掩膜层进行刻蚀形成第一深沟槽，并在硬质掩膜层底部和第一深沟槽内淀积阻挡层，刻蚀阻挡层至硬质掩膜层表面，其中，第一深沟槽底部刻蚀形成有第二深沟槽，刻蚀该第二深沟槽并淀积形成屏蔽栅厚介质层，去除阻挡层和硬质掩膜层，并在第一深沟槽内壁形成栅介质层，进一步在各个沟槽内以及衬底顶部淀积多晶硅，并一步刻蚀同时形成有栅多晶硅和屏蔽栅多晶硅，最后注入阱以及填充背面和正面金属；本工艺可以在不增加光刻板的情况下减少多晶硅淀积次数，此外新结构可以减小两层多晶硅间交叠电容，降低输入电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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